2月1日,美国加州圣克拉拉,爱达荷州博伊西――英特尔公司和美光科技公司宣布推出世界上首个25纳米NAND技术――该技术能够增加智能手机、个人音乐与媒体播放器(PMP)等流行消费电子产品,以及全新高性能固态硬盘(SSD)的存储容量,提供更高的成本效益。
NAND闪存可用于存储消费电子产品中的数据和其他媒
该技术由英特尔和美光共同组建的 N A N D 闪存合资企业IM Flash Technologies(简称I MFT )生产,单个25纳米制程NAND设备的存储容量达到8GB,为当前小巧的消费电子产品提供大容量存储解决方案。其尺寸仅有167平方毫米――小到足以穿过光盘中间的孔,却能存储比光盘多10倍的数据,而一张标准光盘可存储700MB数据。
通过对NAND研发的专注和投资,英特尔和美光大约每18个月将NAND的密度提升一倍,从而带来尺寸更小、成本效益更高、容量更大的产品。IMFT从2006年就开始采用50纳米制程技术生产,紧接着在2008年推出34纳米制程技术。凭借今天公布的25纳米制程技术,英特尔和美光合作推出了业内最小的半导体光刻技术,从而进一步加强了在制程和制造领域的领先地位。
采用25纳米技术的8GB设备现已推出样品,预计将在2010年第二季度批量生产。针对消费电子产品制造商,设备提供了密度最大、每个单元可存储2比特数据的多层式(MLC)芯片,并且支持符合行业标准的薄型小尺寸封装(TSOP),可将多个8GB设备封装在一起,从而提高存储容量。与上一代制程相比,全新25纳米8GB设备可将封装的芯片数量减少一半,不仅实现了尺寸更小、密度更高的设计,还提高了成本效益。例如,组成一个256GB的固态硬盘(SSD)只需32 个25 纳米N AN D芯片(之前则需要64个这样的芯片),一个32GB的智能手机只需要4个这样的芯片,而16GB的闪存卡只需要2个。(杜宏)